Silicon carbide (SiC) has rapidly become one of the most critical materials in modern semiconductor technology. As industries shift toward high-efficiency power electronics, electric vehicles
A SiC ostya a modern teljesítményelektronika és a nagyfrekvenciás eszközök alapanyagává vált, ami kiváló fizikai és elektromos tulajdonságainak köszönhető. A hagyományos
A szilícium-karbid (SiC) teljesítményeszközök gyorsan növelik részesedésüket a globális teljesítményelektronikai piacon. A hagyományos szilícium-elektromos áramkörök fizikai teljesítményének határait meghaladva
A SiC-lapkák széles sávszélességük, nagy hővezető képességük és kiváló átütési szilárdságuk miatt a következő generációs nagy teljesítményű és nagyfeszültségű eszközök alapjává váltak. Míg a
1. Introduction: From Wafer Diameter to Industrial Capability In semiconductor technology, wafer diameter has historically served as a reliable indicator of manufacturing maturity. Each major
