Silicon carbide (SiC) has rapidly become one of the most critical materials in modern semiconductor technology. As industries shift toward high-efficiency power electronics, electric vehicles
SiC wafer, üstün fiziksel ve elektriksel özelliklerinden dolayı modern güç elektroniği ve yüksek frekanslı cihazlarda temel bir malzeme haline gelmiştir. Geleneksel ile karşılaştırıldığında
Silisyum karbür (SiC) güç cihazları, küresel güç elektroniği pazarındaki payını hızla artırıyor. Geleneksel silisyumun fiziksel performans sınırlarını aşarak
SiC gofretler, geniş bant aralıkları, yüksek termal iletkenlikleri ve üstün kırılma mukavemetleri nedeniyle yeni nesil yüksek güçlü ve yüksek voltajlı cihazların temeli haline gelmiştir. Bir yandan
1. Giriş: Yonga Plakası Çapından Endüstriyel Kabiliyete Yarı iletken teknolojisinde yonga plakası çapı tarihsel olarak üretim olgunluğunun güvenilir bir göstergesi olmuştur. Her büyük
