As electric vehicles, renewable energy systems, industrial drives, and high-power electronics continue evolving toward higher efficiency and power density, Silicon Carbide (SiC) power semiconductors have
Silicon carbide (SiC) wafers have become one of the most important wide-bandgap semiconductor substrates in power electronics, RF communication, and high-temperature applications. Among the most
1. Introduction In semiconductor manufacturing, a dummy wafer (also known as a monitor wafer or blank wafer) is a non-device-bearing wafer used to support and
1. Bevezetés: Ahogy a globális iparágak egyre gyorsabban haladnak a villamosítás és a digitalizáció felé, a hagyományos szilícium (Si)-alapú félvezetők közelednek fizikai határaikhoz.
1. Bevezetés A szilícium évtizedek óta uralja a félvezetőipart bőségének, stabil kristályos szerkezetének és kiváló elektronikus tulajdonságainak köszönhetően. Azonban az eszközök méretezésével
A szilícium-karbid (SiC) ostyák, a harmadik generációs félvezetők alapvető szubsztrátjai, gyorsan nélkülözhetetlenné válnak a nagy teljesítményű teljesítményelektronikában és a következő generációs eszközökben. Kiváló tulajdonságaiknak köszönhetően
A szilícium-karbid (SiC) szubsztrátumok a teljesítményelektronika, az RF-eszközök és a magas hőmérsékletű félvezető alkalmazások alapanyagává váltak. Mivel a nagy hatékonyságú elektromos járművek, a megújuló
A szilícium-karbid (SiC) ostyák a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és magas hőmérsékletű elektronika alapanyagává váltak, különösen az elektromos járművekben, a megújuló energiarendszerekben, a gyorstöltőkben és a villamosenergia-rendszerekben.
