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SiCエピタキシーの進歩：無欠陥に近い炭化ケイ素パワーデバイスを目指して
炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスは、世界のパワーエレクトロニクス市場で急速にシェアを拡大している。従来のシリコンの物理的性能限界を超えることで
炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスは、世界のパワーエレクトロニクス市場で急速にシェアを拡大している。従来のシリコンの物理的性能限界を超えることで
炭化ケイ素(SiC)基板は、その優れた熱伝導性、高ブレークダウン電界、優れた耐熱性により、次世代パワーエレクトロニクスの基盤材料として浮上している。
炭化ケイ素（SiC）はパワーエレクトロニクスの状況を一変させた。電気自動車（EV）用インバーターから高周波コンバーターまで、SiCはデバイスの高速化、高温動作を可能にしている、,
In the rapidly evolving landscape of high-performance computing (HPC), we are witnessing a transition from the era of “Silicon for everything” to an era of
1. Introduction: From Wafer Diameter to Industrial Capability In semiconductor technology, wafer diameter has historically served as a reliable indicator of manufacturing maturity. Each major
