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大面積12インチ炭化ケイ素（SiC）基板：進化するAR光導波路
最近、大面積12インチの炭化ケイ素（SiC）基板が有望なソリューションとして登場し、次世代ARデバイスに適した材料特性のこれまでにない組み合わせを提供している。
最近、大面積12インチの炭化ケイ素（SiC）基板が有望なソリューションとして登場し、次世代ARデバイスに適した材料特性のこれまでにない組み合わせを提供している。
Silicon carbide (SiC) wafers have become a critical material for high-power electronics, electric vehicles, and advanced semiconductor devices. As the demand for higher efficiency, smaller
スマートフォンやコンピュータのチップを手にするとき、それがどこから来たのか考えないかもしれない。それぞれのチップは、300mm（12インチ）の
