เมื่อไม่นานมานี้ วัสดุซับสเตรตซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาดใหญ่ 12 นิ้ว ได้กลายเป็นทางเลือกที่น่าสนใจ โดยมอบคุณสมบัติทางวัสดุที่ไม่เคยมีมาก่อน ซึ่งเหมาะอย่างยิ่งสำหรับอุปกรณ์ AR รุ่นต่อไป
แผ่นซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ได้กลายเป็นวัสดุที่สำคัญสำหรับอิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง, ยานยนต์ไฟฟ้า, และอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง. เนื่องจากความต้องการสำหรับประสิทธิภาพที่สูงขึ้น, ขนาดที่เล็กกว่า
ในขณะที่โลกกำลังเร่งเข้าสู่ยุคไฟฟ้า อุตสาหกรรมปัญญาประดิษฐ์ และการเคลื่อนที่ในชั้นบรรยากาศต่ำ อุตสาหกรรมต่างๆ กำลังแสวงหาวัสดุที่ช่วยให้มีประสิทธิภาพสูงขึ้น กำลังไฟฟ้าสูงขึ้น และการสูญเสียพลังงานน้อยลง.
เมื่อคุณถือสมาร์ทโฟนหรือชิปคอมพิวเตอร์ คุณอาจไม่คิดถึงที่มาของมัน ชิปแต่ละตัวมีต้นกำเนิดมาจากแผ่นเวเฟอร์ขนาด 300 มม. (12 นิ้ว)
