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炭化ケイ素基板が新エネルギーと5Gの「必須素材」になった理由
1.はじめにシリコンの限界からワイドバンドギャップのブレークスルーへ 世界の産業が電化とデジタル化に向けて加速する中、従来のシリコン（Si）ベースの半導体は物理的な限界に近づきつつある。
1.はじめにシリコンの限界からワイドバンドギャップのブレークスルーへ 世界の産業が電化とデジタル化に向けて加速する中、従来のシリコン（Si）ベースの半導体は物理的な限界に近づきつつある。
SiCウェハは、その優れた物理的・電気的特性により、現代のパワーエレクトロニクスや高周波デバイスの基礎的な材料となっている。従来の
第3世代の半導体材料である炭化ケイ素（SiC）は、ワイドバンドギャップ、高ブレークダウン電界、優れた熱伝導性により大きな注目を集めている。これらの
産業オートメーションの進歩に伴い、製造、ロジスティクス、スマート生産ラインにおける高性能機器への需要が著しく高まっている。このようなシステムには、精密な
炭化ケイ素（SiC）ウェーハは、従来のシリコン（Si）に比べて優れた材料特性を持つことから、高周波およびハイパワーエレクトロニクス分野で急速に注目を集めている。SiCウエハは
炭化ケイ素（SiC）は、従来のものと比べて物理的、熱的、電気的特性が優れているため、高温エレクトロニクスの分野で急速に注目を集めている。
1. Introduction: From Wafer Diameter to Industrial Capability In semiconductor technology, wafer diameter has historically served as a reliable indicator of manufacturing maturity. Each major
