Siliciumcarbide (SiC) is een belangrijk materiaal geworden voor krachtige vermogenshalfgeleiders vanwege de brede bandkloof, het hoge warmtegeleidingsvermogen en het hoge doorslagveld,
Siliciumcarbide (SiC) heeft zich snel ontwikkeld van een nichemateriaal dat alleen bekend is bij halfgeleiderexperts tot een toonaangevende technologie die elektrische voertuigen en hernieuwbare energiesystemen aandrijft,
Epitaxie van siliciumcarbide (SiC) is een van de meest kritische processen achter de hedendaagse halfgeleiderapparaten met hoog voltage, hoge frequentie en hoge efficiëntie. Hoewel deze dunne kristallijne laag
