Siliciumcarbide (SiC) is een belangrijk materiaal geworden voor krachtige vermogenshalfgeleiders vanwege de brede bandkloof, het hoge warmtegeleidingsvermogen en het hoge doorslagveld,
Siliciumcarbide (SiC), een halfgeleidermateriaal van de derde generatie, heeft veel aandacht getrokken vanwege de brede bandkloof, het hoge elektrische doorslagveld en de superieure thermische geleidbaarheid. Deze
Siliciumcarbide (SiC) heeft zich ontpopt als een transformerend materiaal voor vermogenselektronica, elektrische voertuigen (EV's), hernieuwbare energiesystemen en hoogfrequente toepassingen. SiC biedt aanzienlijke voordelen
