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碳化矽（SiC）因其寬帶隙、高熱導率、高击穿場等特性，已成為高效能功率半導體元件的關鍵材料、,
碳化矽 (SiC) 是第三代半導體材料，因其寬帶隙、高击穿電場和優異的熱傳導性而備受矚目。這些
碳化矽 (SiC) 已成為電力電子、電動汽車 (EV)、可再生能源系統及高頻應用的變革性材料。碳化矽具有以下顯著優勢
