Inzicht in siliciumcarbide-epitaxie: De verborgen laag die elektronica met hoge prestaties mogelijk maakt
Epitaxie van siliciumcarbide (SiC) is een van de meest kritische processen achter de hedendaagse halfgeleiderapparaten met hoog voltage, hoge frequentie en hoge efficiëntie. Hoewel deze dunne kristallijne laag