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1. Introdução: Dos limites do silício aos avanços da banda larga À medida que as indústrias globais aceleram a eletrificação e a digitalização, os semicondutores convencionais à base de silício (Si) estão a aproximar-se do seu limite físico.
O carboneto de silício (SiC) emergiu como um dos principais representantes dos semicondutores de terceira geração, oferecendo vantagens significativas em relação ao silício convencional em termos de um maior intervalo de banda,
1. Introdução O silício dominou a indústria dos semicondutores durante décadas devido à sua abundância, estrutura cristalina estável e excelentes propriedades electrónicas. No entanto, à medida que a escala dos dispositivos
Silicon carbide (SiC) wafers, a core substrate for third-generation semiconductors, are rapidly becoming essential in high-performance power electronics and next-generation devices. Thanks to their superior
À medida que o mundo acelera em direção à eletrificação, à inteligência artificial e à mobilidade a baixa altitude, as indústrias procuram materiais que permitam maior eficiência, maior potência e menor perda de energia.
Os substratos de safira, particularmente os wafers de 8 polegadas, estão a tornar-se um material crítico na indústria de semicondutores. Com excecional resistência mecânica, transparência ótica e estabilidade térmica, a safira de 8 polegadas
In 2026, the semiconductor materials industry is at a historical turning point. Silicon, the backbone of the semiconductor industry, is approaching its physical limits, while
Silicon carbide (SiC) has emerged as a superstar in the world of semiconductors. Renowned for its exceptional thermal conductivity, high breakdown voltage, and chemical stability,
