Ведущий мировой поставщик полупроводниковых материалов

Рубрика: News

Новости

Материалы SiC для мета-очков Orion: Оптические и тепловые преимущества

Стремительное развитие технологий дополненной реальности (AR) и носимых дисплеев предъявляет беспрецедентные требования к оптическим материалам. Такие устройства, как экспериментальная модель Meta Orion

Новости

Что такое углеродная и кремниевая поверхности пластины карбида кремния?

В современной силовой электронике карбид кремния стал одним из важнейших широкополосных полупроводниковых материалов. По сравнению с традиционным кремнием, SiC обладает такими превосходными свойствами, как

Области применения и тенденции развития карбида кремния в промышленной автоматизации

По мере развития промышленной автоматизации значительно вырос спрос на высокопроизводительное оборудование для производства, логистики и интеллектуальных производственных линий. Такие системы требуют точного

Как правильно выбрать подложку SiC для силовой электроники
Новости

Анализ стоимости 300-мм и 200-мм SiC-пластин: При каком объеме производства переход на 12-дюймовые пластины будет рентабельным?

Пластины из карбида кремния (SiC) стали важнейшим материалом для мощной электроники, электромобилей и современных полупроводниковых устройств. Поскольку спрос на более высокую эффективность, меньшие

Новости

Проблемы 300-мм SiC-подложек: Технические трудности при выращивании кристаллов большого диаметра (EFG против PVT)

Карбид кремния (SiC) стал краеугольным материалом для мощной электроники, электромобилей и полупроводниковых приборов нового поколения благодаря своей исключительной теплопроводности, высокой

Новости

Достижения в области эпитаксии SiC: На пути к почти бездефектным силовым устройствам из карбида кремния

Силовые устройства на основе карбида кремния (SiC) стремительно увеличивают свою долю на мировом рынке силовой электроники. Преодолевая физические пределы производительности обычных кремниевых

Новости

Производители пластин из карбида кремния: Технологии, рынок и будущие тенденции

Пластины из карбида кремния (SiC), являющиеся основной подложкой для полупроводников третьего поколения, быстро становятся незаменимыми в высокопроизводительной силовой электронике и устройствах нового поколения. Благодаря своим превосходным

Новости

Превосходство в терморегулировании: Почему SiC превосходит кремний в высокотемпературных датчиках

В современных промышленных, автомобильных и аэрокосмических приложениях быстро растет спрос на датчики, способные надежно работать в высокотемпературных средах. Традиционные кремниевые (Si) датчики,