Новости
Технический прорыв и промышленные перспективы 14-дюймовых SiC-подложек
Карбид кремния (SiC), полупроводниковый материал третьего поколения, привлек к себе большое внимание благодаря широкой полосе пропускания, высокому электрическому полю пробоя и превосходной теплопроводности. Эти