Haberler
14-İnç SiC Substratların Teknik Atılımı ve Sektörel Beklentiler
Üçüncü nesil bir yarı iletken malzeme olan silisyum karbür (SiC), geniş bant aralığı, yüksek kırılma elektrik alanı ve üstün termal iletkenliği nedeniyle büyük ilgi görmüştür. Bunlar