Ведущий мировой поставщик полупроводниковых материалов
E-MAIL: [email protected]
1. Introduction The manufacturing of silicon carbide (SiC) power devices involves highly complex semiconductor processes, typically consisting of hundreds of steps. These processes can be
В современной силовой электронике карбид кремния стал одним из важнейших широкополосных полупроводниковых материалов. По сравнению с традиционным кремнием, SiC обладает такими превосходными свойствами, как
Карбид кремния (SiC) быстро превратился из нишевого материала с широкой полосой пропускания в стратегическую основу для силовой электроники следующего поколения. По мере ускорения внедрения в электромобили,
Глобальный переход к электрификации, возобновляемым источникам энергии и высокоэффективной силовой электронике привел к тому, что пластины из карбида кремния (SiC) оказались в центре внимания. В то время как рост кристаллов SiC и
