1. Introduction The manufacturing of silicon carbide (SiC) power devices involves highly complex semiconductor processes, typically consisting of hundreds of steps. These processes can be
In modern power electronics, Silicon Carbide has become one of the most important wide-bandgap semiconductor materials. Compared with traditional Silicon, SiC offers superior properties such
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ได้เปลี่ยนผ่านอย่างรวดเร็วจากวัสดุเฉพาะกลุ่มที่มีช่องว่างพลังงานกว้างไปสู่รากฐานเชิงกลยุทธ์สำหรับอิเล็กทรอนิกส์กำลังรุ่นถัดไป ด้วยการนำไปใช้ที่เร่งตัวขึ้นในยานยนต์ไฟฟ้า,
การเปลี่ยนแปลงระดับโลกไปสู่การใช้ไฟฟ้า พลังงานหมุนเวียน และอิเล็กทรอนิกส์กำลังไฟฟ้าประสิทธิภาพสูง ได้ทำให้แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ได้รับความสนใจอย่างมาก ในขณะที่การเติบโตของผลึก SiC และ
