As electric vehicles, renewable energy systems, industrial drives, and high-power electronics continue evolving toward higher efficiency and power density, Silicon Carbide (SiC) power semiconductors have
Üçüncü nesil bir yarı iletken malzeme olan silisyum karbür (SiC), geniş bant aralığı, yüksek kırılma elektrik alanı ve üstün termal iletkenliği nedeniyle büyük ilgi görmüştür. Bunlar
Silisyum karbür (SiC), olağanüstü termal iletkenliği, yüksek ısı iletkenliği ve yüksek sıcaklık iletkenliği nedeniyle yüksek güçlü elektronikler, elektrikli araçlar ve yeni nesil yarı iletken cihazlar için bir köşe taşı malzemesi olarak ortaya çıkmıştır.
Elektrikli araçların, 5G baz istasyonlarının ve yenilenebilir enerji güç elektroniğinin hızla gelişmesiyle birlikte, alt tabaka seçimi yüksek güçlü cihazlarda kritik bir faktör haline gelmiştir.
