Yapay zeka iş yüklerinin hızla artmasıyla birlikte, hem veri merkezleri hem de gelişmiş yarı iletken cihazlar güç tüketimi ve termal yönetim konusunda benzeri görülmemiş zorluklarla karşı karşıya kalmaktadır.
1. Giriş Elektrikli araçların (EA) hızla benimsenmesi, yüksek güçlü, yüksek verimli şarj altyapısına olan talebi yoğunlaştırmıştır. Çeşitli şarj teknolojileri arasında, doğru akım (DC)
Endüstriyel otomasyon gelişmeye devam ettikçe, üretim, lojistik ve akıllı üretim hatlarında yüksek performanslı ekipmanlara olan talep önemli ölçüde artmıştır. Bu tür sistemler hassaslık gerektirir
Dünya elektrifikasyon, yapay zeka ve düşük irtifa hareketliliğine doğru hızlanırken, endüstriler daha yüksek verimlilik, daha yüksek güç ve daha düşük enerji kaybı sağlayan malzemeler arıyor.
Elektrikli araçların, 5G baz istasyonlarının ve yenilenebilir enerji güç elektroniğinin hızla gelişmesiyle birlikte, alt tabaka seçimi yüksek güçlü cihazlarda kritik bir faktör haline gelmiştir.
Silisyum karbür veya SiC, yüksek güç ve yüksek frekanslı uygulamalarda çalışma kabiliyetiyle dikkat çeken geniş bant aralıklı bir yarı iletken malzemedir. Karşılaştırıldığında
Silisyum karbür (SiC) güç elektroniği dünyasını değiştirmiştir. SiC, elektrikli araç (EV) invertörlerinden yüksek frekanslı dönüştürücülere kadar cihazların daha hızlı ve daha sıcak çalışmasını sağlıyor,
Meta'nın Orion AR gözlük prototipinin Meta Connect 2024'te tanıtılması, artırılmış gerçeklik (AR) alanında yeni bir kilometre taşına işaret ediyor. 70° diyagonal alan elde etmek
