Mô tả
Tấm wafer tinh thể đơn SiC 12 inch (300 mm) của ZMSH là loại bán dẫn có độ tinh khiết cao và khoảng cách dải năng lượng rộng, được sản xuất bằng phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT). Với các tính chất điện, nhiệt và cơ học vượt trội, tấm wafer SiC là lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng công suất cao, điện áp cao và tần số cao, cũng như làm chất nền cho đèn LED và điốt laser dựa trên GaN.
Đặc điểm nổi bật của các tấm wafer 12 inch của chúng tôi mật độ dịch chuyển mặt phẳng cơ bản (BPD) cực thấp, độ dẫn nhiệt cao và định hướng tinh thể chính xác, đảm bảo hiệu suất, độ tin cậy và khả năng tái tạo vượt trội cho thiết bị.
Tính năng chính
| Tài sản | 4H-SiC | 6H-SiC |
|---|---|---|
| Cấu trúc tinh thể | Hình lục giác | Hình lục giác |
| Hằng số mạng | a = 3,08 Å, c = 10,05 Å | a = 3,08 Å, c = 15,12 Å |
| Khoảng cách năng lượng | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Độ cứng (theo thang Mohs) | 9.2 | 9.2 |
| Độ dẫn nhiệt (loại N, 0,02 Ω·cm) | khoảng 4,2 W/cm·K, khoảng 3,7 W/cm·K | khoảng 4,6 W/cm·K, khoảng 3,2 W/cm·K |
| Hệ số giãn nở nhiệt | 4–5 × 10⁻⁶/K | 4–5 × 10⁻⁶/K |
| Hằng số điện môi | ~9.66 | ~9.66 |
| Điện trở suất | 0,015–0,028 Ω·cm (loại N) | >1×10⁵ Ω·cm (Bán cách điện) |
| Buổi giới thiệu | , lệch trục 4° | , lệch trục 4° |
| Đánh bóng | Một mặt hoặc hai mặt | Một mặt hoặc hai mặt |
| Độ nhám bề mặt | Ra ≤ 5 Å | Ra ≤ 5 Å |
| TTV | ≤15 µm | ≤15 µm |
| Sợi dọc/Sợi ngang | ≤80 µm | ≤80 µm |
| Độ dày | 0,35–1,0 mm (có thể tùy chỉnh) | 0,35–1,0 mm (có thể tùy chỉnh) |
| Vùng tinh thể đơn | ≥290 mm | ≥290 mm |
| EPD (Mật độ vết ăn mòn) | ≤1/cm² | ≤1/cm² |
| Chiping | ≤2 mm | ≤2 mm |
Ứng dụng
1. Điện tử công suất:
MOSFET SiC, đi-ốt PiN, đi-ốt Schottky (SBD), đi-ốt JBS, IGBT và BJT SiC.
Các mô-đun nguồn hiệu suất cao với kích thước nhỏ gọn hơn, trọng lượng nhẹ hơn và giảm thiểu tổn thất năng lượng so với silicon.
Hỗ trợ các thiết bị hoạt động ở điện áp cao (3kV–12kV) và nhiệt độ cao.
2. Thiết bị quang điện tử:
Chất nền cho Đèn LED và đi-ốt laser dựa trên GaN.
Khả năng khớp mạng tinh thể và tương thích nhiệt với các lớp GaN được cải thiện hiệu suất chiết xuất ánh sáng và tản nhiệt.
Cho phép tạo cấu trúc thiết bị dọc mà không cần lớp khuếch tán dòng điện.
3. Nghiên cứu và Thiết bị tiên tiến:
Thích hợp cho nghiên cứu thực nghiệm trong Giảm BPD, các thiết bị điện áp cao và thiết bị điện tử SiC thế hệ mới.
Được sử dụng trong các thiết bị điện tử hoạt động ở tần số cao và nhiệt độ cao.
Ưu điểm
Mật độ BPD thấp:
Việc tối ưu hóa quá trình phát triển PVT, liên kết hạt và lựa chọn nồi nung than chì giúp giảm thiểu các khuyết tật dịch chuyển trên mặt đáy xuống dưới 1000 cm², giúp nâng cao độ tin cậy của các thiết bị công suất lớn và điện áp cao.
Hiệu suất nhiệt và điện vượt trội:
Độ dẫn nhiệt cao đảm bảo khả năng tản nhiệt hiệu quả.
Khoảng cách dải năng lượng rộng và độ di động điện tử cao giúp giảm thiểu tổn thất năng lượng trong điều kiện điện áp cao và nhiệt độ cao.
Kích thước lớn, đường kính 12 inch:
Cho phép sản xuất hàng loạt các thiết bị điện và đế LED.
Có thể tùy chỉnh độ dày, điện trở suất và hướng cho các ứng dụng cụ thể.
Bề mặt hoàn thiện chất lượng cao:
Các tấm wafer được mài bóng một mặt hoặc hai mặt với độ nhám cực thấp (Ra ≤ 5Å) đảm bảo quá trình phát triển lớp phủ tinh thể đồng nhất.
Đóng gói trong phòng sạch:
Mỗi miếng wafer được đóng gói riêng lẻ trong một Môi trường sạch cấp 100 để ngăn ngừa ô nhiễm.
Câu hỏi thường gặp
Câu hỏi 1: Mật độ BPD tiêu biểu của các tấm wafer SiC 12 inch của ZMSH là bao nhiêu?
A1: Mật độ trật khớp ở mặt phẳng cơ sở được kiểm soát ở mức dưới 1000 cm² thông qua các quy trình tối ưu hóa về quá trình phát triển, làm mát và liên kết hạt, đảm bảo độ tin cậy vượt trội cho thiết bị.
Câu hỏi 2: Có thể tùy chỉnh độ dày, hướng hoặc điện trở suất của tấm wafer không?
A2: Đúng vậy. Độ dày (0,35–1,0 mm), hướng lệch trục ( 4° hoặc theo yêu cầu) và điện trở suất (loại N: 0,015–0,028 Ω·cm hoặc loại bán dẫn: >1×10⁵ Ω·cm) đều có thể được tùy chỉnh.
Câu hỏi 3: Chất nền SiC mang lại lợi ích gì cho các ứng dụng đèn LED dựa trên GaN?
A3: SiC tương thích về mạng tinh thể và nhiệt với GaN, cho phép thiết kế cấu trúc thiết bị theo chiều dọc, nâng cao hiệu suất chiết xuất ánh sáng và cải thiện khả năng quản lý nhiệt, từ đó giúp kéo dài tuổi thọ của thiết bị.
Cam kết của ZMSH
ZMSH cam kết cung cấp Tấm wafer SiC 12 inch hiệu suất cao với mật độ khuyết tật cực thấp và chất lượng ổn định. Các tấm wafer của chúng tôi là lựa chọn lý tưởng cho điện tử công suất, điện tử quang học và nghiên cứu về chất bán dẫn thế hệ mới, với các thông số kỹ thuật có thể tùy chỉnh để đáp ứng nhu cầu của ngành công nghiệp và nghiên cứu.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.