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在全球碳化矽領域中，頭條新聞往往集中在用於功率電子的高產量 6 吋或 8 吋晶圓上。然而，在 2025 年以及進入
第三代半導體材料正在改變電子設備的設計。氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 已成為高頻電子元件的關鍵材料。
