1. Úvod: S tím, jak se světový průmysl urychluje směrem k elektrifikaci a digitalizaci, se konvenční polovodiče na bázi křemíku (Si) blíží ke svým fyzikálním limitům.
S tím, jak se svět stále více elektrifikuje, rozvíjí umělá inteligence a mobilita v nízkých nadmořských výškách, hledají průmyslová odvětví materiály, které umožňují vyšší účinnost, vyšší výkon a nižší energetické ztráty.
Third-generation semiconductor materials are transforming the design of electronic devices. Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC) have emerged as the key materials for high-frequency
