ニュース
炭化ケイ素基板が新エネルギーと5Gの「必須素材」になった理由
1.はじめにシリコンの限界からワイドバンドギャップのブレークスルーへ 世界の産業が電化とデジタル化に向けて加速する中、従来のシリコン（Si）ベースの半導体は物理的な限界に近づきつつある。
1.はじめにシリコンの限界からワイドバンドギャップのブレークスルーへ 世界の産業が電化とデジタル化に向けて加速する中、従来のシリコン（Si）ベースの半導体は物理的な限界に近づきつつある。
第三世代の半導体材料は、電子デバイスの設計を一変させつつある。窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、高周波デバイスの主要材料として登場した。
