1. Inleiding: Van siliciumlimieten naar doorbraken in de brede bandkloof Naarmate de wereldwijde industrieën versnellen in de richting van elektrificatie en digitalisering, naderen conventionele halfgeleiders op basis van silicium (Si) hun fysische grenzen.
Naarmate de wereld versnelt in de richting van elektrificatie, kunstmatige intelligentie en mobiliteit op lage hoogte, zijn industrieën op zoek naar materialen die een hogere efficiëntie, een hoger vermogen en minder energieverlies mogelijk maken.
Halfgeleidermaterialen van de derde generatie transformeren het ontwerp van elektronische apparaten. Gallium Nitride (GaN) en Silicium Carbide (SiC) hebben zich ontpopt als de belangrijkste materialen voor hoogfrequente elektronica.
