S rychlým rozvojem zátěže umělé inteligence čelí datová centra i pokročilá polovodičová zařízení nebývalým výzvám v oblasti spotřeby energie a řízení tepla.
Karbid křemíku (SiC), polovodičový materiál třetí generace, přitahuje značnou pozornost díky svému širokému pásmu, vysokému průraznému elektrickému poli a vynikající tepelné vodivosti. Tyto
In the rapidly evolving landscape of high-performance computing (HPC), we are witnessing a transition from the era of “Silicon for everything” to an era of
In recent years, the global semiconductor supply chain has been undergoing a major structural shift. Manufacturing, assembly, and many upstream segments continue to move toward
