Zprávy
Podrobný přehled výroby výkonových zařízení z karbidu křemíku (SiC)
Karbid křemíku (SiC) se díky svému širokému pásmu, vysoké tepelné vodivosti a vysokému průraznému poli stal klíčovým materiálem pro výkonné polovodičové součástky,
Karbid křemíku (SiC) se díky svému širokému pásmu, vysoké tepelné vodivosti a vysokému průraznému poli stal klíčovým materiálem pro výkonné polovodičové součástky,
Karbid křemíku (SiC), zejména polytyp 4H-SiC, hraje díky svým vynikajícím elektrickým, tepelným a mechanickým vlastnostem základní roli ve výkonných a vysokofrekvenčních polovodičových zařízeních.