A félvezető anyagok világvezető beszállítója

Címke: off-axis substrate

Hírek

A szilícium-karbid (SiC) teljesítményű eszközök gyártásának részletes áttekintése

A szilícium-karbid (SiC) széles sávszélessége, nagy hővezető képessége és nagy átütési mezeje miatt a nagy teljesítményű teljesítményű teljesítményű félvezető eszközök kritikus anyagává vált,

Hírek

A SiC epitaxiális növesztés gyakori kihívásai és azok leküzdése

A szilícium-karbid (SiC), különösen a 4H-SiC polytípus, kiváló elektromos, termikus és mechanikai tulajdonságai miatt alapvető szerepet játszik a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás félvezető eszközökben.