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Schlagwort: off-axis substrate

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Detaillierter Überblick über die Herstellung von Leistungsbauelementen aus Siliziumkarbid (SiC)

Siliziumkarbid (SiC) hat sich aufgrund seiner großen Bandlücke, seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und seines hohen Durchbruchsfeldes zu einem wichtigen Material für Hochleistungs-Halbleiterbauelemente entwickelt,

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Häufige Herausforderungen bei der SiC-Epitaxie und wie man sie überwindet

Siliziumkarbid (SiC), insbesondere der 4H-SiC-Polytyp, spielt aufgrund seiner ausgezeichneten elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften eine wichtige Rolle in Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen.