Leírás
Ezt a 100 mm-es (4 hüvelykes) N-típusú, P-doppingolt szilíciumszeletet kristályos orientációval 100 nm-es titán (Ti) tapadó réteggel és 200 nm-es réz (Cu) vezető réteggel vonták be.
A Ti réteg erős adhéziós pufferként és diffúziós gátként funkcionál, fokozva a Cu film rögzülését és hőstabilitását. A Cu réteg nagy elektromos vezetőképességet biztosít, így ez a lapka alkalmas mikroelektronikai, MEMS eszközök, érzékelők és kutatási alkalmazásokhoz.
Az ostya egyoldalasan polírozott (SSP), és tisztaszobai csomagolásban szállítják, így biztosítva a szennyeződésmentes kezelést a precíziós alkalmazásokhoz. A vékonyréteg-szerkezetet egyenletes vastagságra, egyenletes elektromos teljesítményre és megbízható tapadásra optimalizálták.
Ez az ostya ideális olyan alkalmazásokhoz, amelyek kiváló minőségű Cu/Ti határfelületet igényelnek szilícium szubsztrátokon.
Műszaki adatok
| Paraméter | Specifikáció |
|---|---|
| Wafer méret | 4 hüvelyk átmérő × 0,525 mm vastagság |
| Wafer típus | Első osztályú, N-típusú, P-adalékolt |
| Kristályos orientáció | <100> |
| Polírozás | Egyoldalas polírozott (SSP) |
| Ti Adhéziós rétegvastagság | 100 nm |
| Cu vezető réteg vastagsága | 200 nm |
| Cu filmszerkezet | Polikristályos, egyenletes lerakódás |
| Elektromos ellenállás | 1-10 Ω-cm |
| Felületi érdesség | Termesztett állapotban (tipikus, nincs meghatározva) |
| Lerakási módszer | Nagyvákuum PVD (porlasztás vagy e-sugár) |
| Csomag | Egyetlen ostya 100 osztályú műanyag zacskóban 1000 osztályú tisztateremben |
Alkalmazások
Félvezető összekötő rétegek
MEMS mikroszerkezetek és elektródák
Érzékelő eszközök és érintkezőbetétek
Kutatás és fejlesztés a vékonyréteg-elektronika területén
Nagy vezetőképességű tesztelő ostyák mikrogyártáshoz
Fő jellemzők
A Ti tapadó réteg erős Cu-Si kötést biztosít
200 nm-es Cu réteg alacsony ellenállású vezető utat biztosít
A Ti réteg diffúziós gátként működik a hőstabilitás javítása érdekében.
A PVD leválasztás biztosítja az egyenletes vastagságot és felületi minőséget
A tisztaszobai csomagolás fenntartja az ostyák tisztaságát és integritását
Felhasználási és tárolási megjegyzések
Tisztaszobában vagy porszegény környezetben történő kezelés
A hőmérséklet és a feldolgozási feltételek optimalizálása magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz a Cu/Si interdiffúzió megelőzése érdekében
Száraz, alacsony igénybevételű környezetben tárolja a vékonyréteg integritásának megőrzése érdekében.
Kerülje a közvetlen érintkezést a bevont felülettel.
GYIK
1. Milyen egyenletes a Cu/Ti vékonyrétegek egyenletessége az ostyán?
A Ti tapadóréteget és a Cu vezető réteget nagyvákuumos PVD-technikával vitték fel, így biztosítva az egyenletes vastagságot a 4 hüvelykes ostyán. A Cu film vastagsága 200 nm, a Ti réteg pedig 100 nm, minimális eltéréssel, amely alkalmas mikroelektronikai és kutatási alkalmazásokhoz.
2. Használható-e ez az ostya magas hőmérsékletű eljárásokban?
Igen, de óvintézkedések javasoltak. A Ti réteg diffúziós gátként működik, hogy megakadályozza a Cu diffúzióját a szilíciumszubsztrátumba. A hőmérséklet és a feldolgozási feltételek optimalizálása segít fenntartani a film integritását és egyenletességét.
3. Hogyan kell az ostyát tárolni és kezelni?
Az ostyát tisztaszobában vagy porszegény környezetben kell kezelni. Száraz, alacsony igénybevételű környezetben tárolja, és kerülje a bevont felület közvetlen érintését. Minden egyes ostyát 100-as osztályú műanyag zacskóban szállítunk egy 1000-es osztályú tisztaszobai csomagolásban.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.