A félvezető anyagok világvezető beszállítója

Címke: RF power devices

Hírek

SiC ostyák nagyfrekvenciás alkalmazásokban: SiC-Fixtartályok: előnyök és gyakorlati korlátok: előnyök és gyakorlati korlátok

A szilícium-karbid (SiC) ostyák a hagyományos szilíciumhoz (Si) képest kiváló anyagi tulajdonságaik miatt gyorsan figyelmet kaptak a nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű elektronikában. A

Hírek

Harmadik generációs félvezetők leszámolása: GaN vs SiC teljesítményelemzés

A harmadik generációs félvezető anyagok átalakítják az elektronikus eszközök tervezését. A gallium-nitrid (GaN) és a szilícium-karbid (SiC) vált a nagyfrekvenciás és a nagyfrekvenciás elektronikai rendszerek kulcsfontosságú anyagává.