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高周波アプリケーションにおけるSiCウェハー：利点と実用上の限界
炭化ケイ素（SiC）ウェーハは、従来のシリコン（Si）に比べて優れた材料特性を持つことから、高周波およびハイパワーエレクトロニクス分野で急速に注目を集めている。SiCウエハは
炭化ケイ素（SiC）ウェーハは、従来のシリコン（Si）に比べて優れた材料特性を持つことから、高周波およびハイパワーエレクトロニクス分野で急速に注目を集めている。SiCウエハは
第三世代の半導体材料は、電子デバイスの設計を一変させつつある。窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、高周波デバイスの主要材料として登場した。