Dünyanın Önde Gelen Yarı İletken Malzeme Tedarikçisi

Tag: RF power devices

Haberler

Yüksek Frekanslı Uygulamalarda SiC Wafer'lar: Faydalar ve Pratik Sınırlamalar

Silisyum karbür (SiC) gofretler, geleneksel silisyuma (Si) kıyasla üstün malzeme özellikleri nedeniyle yüksek frekanslı ve yüksek güçlü elektroniklerde hızla dikkat çekmiştir. İle

Haberler

Üçüncü Nesil Yarı İletkenler Karşılaşması: GaN vs SiC Performans Analizi

Üçüncü nesil yarı iletken malzemeler elektronik cihazların tasarımını dönüştürüyor. Galyum Nitrür (GaN) ve Silisyum Karbür (SiC) yüksek frekanslı elektronik cihazlar için anahtar malzemeler olarak ortaya çıkmıştır.