Onlangs zijn 12-inch siliciumcarbidesubstraten (SiC) met een groot oppervlak naar voren gekomen als een veelbelovende oplossing, die een ongekende combinatie van materiaaleigenschappen biedt die geschikt zijn voor AR-apparaten van de volgende generatie.Augmented
Siliciumcarbide (SiC), een halfgeleidermateriaal van de derde generatie, heeft veel aandacht getrokken vanwege de brede bandkloof, het hoge elektrische doorslagveld en de superieure thermische geleidbaarheid. Deze
Siliciumcarbide (SiC) wafers hebben snel de aandacht getrokken in hoogfrequente en krachtige elektronica vanwege hun superieure materiaaleigenschappen in vergelijking met conventioneel silicium (Si). Met
Siliciumcarbide (SiC) is uitgegroeid tot een van de belangrijkste materialen in moderne elektronica, elektrische apparaten en geavanceerde keramiek. Zijn opmerkelijke mechanische, thermische en
