Nyligen har 12-tums kiselkarbidsubstrat (SiC) med stor yta framstått som en lovande lösning, som ger en aldrig tidigare skådad kombination av materialegenskaper som är lämpliga för nästa generations AR-enheter.
Silicon carbide (SiC), a third-generation semiconductor material, has attracted significant attention due to its wide bandgap, high breakdown electric field, and superior thermal conductivity. These
Wafers av kiselkarbid (SiC) har snabbt fått uppmärksamhet inom högfrekvens- och högeffektselektronik på grund av sina överlägsna materialegenskaper jämfört med konventionellt kisel (Si). Med
Kiselkarbid (SiC) har utvecklats till ett av de viktigaste materialen inom modern elektronik, kraftelektronik och avancerad keramik. Dess anmärkningsvärda mekaniska, termiska och
