SiC Wafer – Sapphire Wafer_Silicon Wafer_SIC Wafer_GaAs Substrate_ZnSe Windows_Quartz Glass

Wiodący na świecie dostawca materiałów półprzewodnikowych

E-MAIL: [email protected]

TEL: +86-138-1617-9243

12-calowy wafel z pojedynczym kryształem węglika krzemu SiC 300 mm 4H/6H do zastosowań w energoelektronice i diodach LED

Dowiedz się więcej
12-calowe podłoża z węglika krzemu 4H-N - gatunki produkcyjne i atrapy

Dowiedz się więcej
2-calowe podłoże SiC typu 6H-N do polerowania dwustronnego Wysoka przewodność cieplna i niskie zużycie energii

Dowiedz się więcej
Wafel z węglika krzemu 4H-N SiC do urządzeń o dużej mocy i wysokiej temperaturze

Dowiedz się więcej
Podłoże SiC 4H-N dla energoelektroniki, urządzeń RF i optoelektroniki UV

Dowiedz się więcej
Podłoża SiC 6H-N dla elektroniki precyzyjnej, wysokotemperaturowej i UV

Dowiedz się więcej
Prostokątne podłoże SiC z węglika krzemu - wysokiej czystości, monokrystaliczna płytka SiC do zastosowań w energetyce, RF i optoelektronice

Dowiedz się więcej