Detta dokument ger en översikt över våra 4-tums kiselkarbidskivor (SiC), som är speciellt utformade för högpresterande applikationer inom kraftelektronik och optoelektronik. Tillgängliga i både
Nyckelord:P Grade SiC Substrat,8-tums N-typ SiC,8-tums SiC Wafer,N-typ kiselkarbidkristall,SiC Power Device Substrat,SiC Crystal P Grade P Grade 8-tums N-typ SiC substrat
8-tums 6-tums N-typ SiC-wafers foton Produktabstrakt: 8-tums och 6-tums N-typ SiC Wafer & Substrate - Dummy och Prime Grades Vår högkvalitativa 8-tums
12-tums 300 mm kiselskivans abstrakt En 12-tums (300 mm) kiselskiva är ett grundläggande substrat i halvledarindustrin, som kännetecknas av sin stora storlek och tekniska
silicon wafer ‘s abstract Kiselskivor är grundläggande substrat vid halvledartillverkning, avgörande för tillverkningen av integrerade kretsar och elektroniska enheter. Detta abstract fokuserar
SiC bulk wafer ‘s beskrivning Kiselkarbid (SiC) wafers är en viktig typ av halvledarmaterial som i stor utsträckning används vid tillverkning av elektroniska och optoelektroniska
TGV genom glas Vias quratz JGS2 JGS2 safirmaterial
Etsning av kiselskivor XINKEHUIs etsning av kiselskivor är noggrant utformade för att uppfylla höga industristandarder, tillgängliga i både N-typ och P-typklassificeringar.
