1. Giriş Silikon, bolluğu, kararlı kristal yapısı ve mükemmel elektronik özellikleri nedeniyle onlarca yıldır yarı iletken endüstrisine hakim olmuştur. Ancak, cihaz ölçeklendirmesi olarak
Dünya elektrifikasyon, yapay zeka ve düşük irtifa hareketliliğine doğru hızlanırken, endüstriler daha yüksek verimlilik, daha yüksek güç ve daha düşük enerji kaybı sağlayan malzemeler arıyor.
Silisyum karbür veya SiC, yüksek güç ve yüksek frekanslı uygulamalarda çalışma kabiliyetiyle dikkat çeken geniş bant aralıklı bir yarı iletken malzemedir. Karşılaştırıldığında
Silisyum karbür (SiC) epitaksi, günümüzün yüksek voltajlı, yüksek frekanslı ve yüksek verimli yarı iletken cihazlarının arkasındaki en kritik süreçlerden biridir. Her ne kadar bu ince kristal tabaka
Akıllı telefonlarımıza dokunduğumuzda, LED ışıkları açtığımızda veya elektrikli bir araba kullandığımızda, bizi biz yapan görünmez katmanlar hakkında düşünmek için nadiren dururuz.
