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1.引言 幾十年來,矽因其豐富的資源、穩定的結晶結構和優異的電子特性,一直在半導體產業中佔有主導地位。然而,隨著裝置的擴充
碳化矽 (SiC),特別是 4H-SiC 聚合物,因其優異的電氣、熱和機械特性,在高功率和高頻率半導體裝置中扮演著重要的角色。