描述
「裝置級 hBN 單晶」是一種專為先進半導體研究、二維材料、石墨烯電子學及次世代光子裝置所開發的高品質六方氮化硼材料。 這些高品質的 hBN 單晶是透過專有的大氣壓晶體生長製程所製成，具備優異的結晶度、低缺陷密度、卓越的介電特性以及非凡的光學性能。.
作為一種寬禁帶層狀材料，hBN 已成為快速發展的二維材料領域中最重要的基礎元件之一。其原子級平滑的表面、化學穩定性以及優異的電絕緣性，使其成為石墨烯及其他范德華材料的理想基板與封裝層。.
我們的裝置級 hBN 晶體以毫米級的塊狀單晶形式供應，具有天然生長面，為研究人員和技術開發者提供了一個用於製造高性能裝置的可靠平台。.
主要優勢
卓越的水晶品質
透過精確控制的晶體生長過程，可製得具有優異結構完整性及低雜質含量的巨大單晶區域。.
非常適合用於石墨烯裝置
這種原子級平坦的表面能將載流子散射降至最低，並適用於超高遷移率的石墨烯電子裝置。.
卓越的電氣絕緣性能
高介電擊穿強度，可確保在先進的奈米電子與量子裝置中實現可靠運作。.
卓越的光學性能
該材料展現出強烈的紫外線帶緣發光，並具備優異的光學特性，適合應用於光子學領域。.
輕鬆去角質
這種層狀晶體結構使得能夠製備用於研究及裝置製造的薄層 hBN 片。.
技術規格
| 財產 | 價值 |
|---|---|
| 材質 | 六方氮化硼（hBN） |
| 水晶類型 | 單晶 |
| 等級 | 裝置等級 |
| 成長方式 | 專利常壓生長技術 |
| 結晶形態 | 大塊晶體 |
| 典型橫向尺寸 | ≥ 1 毫米 |
| 表面狀況 | 天然生長表面 |
| 包裝類型 | 晶片載體 |
| 每包數量 | 5–10 顆水晶 |
電氣特性
| 參數 | 典型值 |
| 介電擊穿電場 | 1.64 ± 0.06 V/nm |
光學特性
| 參數 | 典型值 |
| 紫外線帶緣發射 | 約 215 海里 |
| 光學透明度 | 高 |
| 發光品質 | 進階研究級 |
拉曼特性
| 參數 | 典型值 |
| E₂g 拉曼峰線寬 | 7.88 cm⁻¹ |
石墨烯裝置的參考性能
| 參數 | 典型值 |
| 室溫下石墨烯的遷移率 | 約 80,000 平方公分／伏特·秒 |
| 載體密度 | 1 × 10¹² 公分⁻² |
應用
石墨烯電子學
廣泛應用於石墨烯電晶體、感測器及高速電子裝置的超平坦基板與封裝層。.
二維材料研究
適用於構建包含石墨烯、MoS₂、WS₂、WSe₂ 及其他層狀材料的范德華異質結構。.
量子裝置
為量子輸運研究、相關電子系統及先進量子技術提供了理想的平台。.
奈米光子學
支援聲子-極化子現象及奈米尺度光操控技術，以應用於下一代光子裝置。.
深紫外技術
hBN 的固有紫外線發射特性，使其成為深紫外偵測器、發射器及光學研究的理想材料。.
先進半導體研究
應用於致力於未來半導體技術研發的大學、國家實驗室及產業研發中心。.
為何選擇裝置級 hBN 單晶？
- 高純度單晶材料
- 大面積的可用晶體域
- 優異的電絕緣性能
- 卓越的光學性能
- 在石墨烯裝置中表現卓越
- 適用於高階研究與原型開發
- 可靠的包裝與處理
- 可依需求自訂選擇
包裝資訊
裝置級 hBN 單晶均經過仔細包裝於保護性晶片載體中，以防止在運輸及儲存過程中發生污染與機械損壞。.
我們可根據客戶需求，提供客製化包裝及水晶挑選服務。.
常見問題
何謂「裝置級」hBN？
裝置級 hBN 是一種高品質的六方氮化硼單晶，專為先進電子、光子學及量子裝置應用而開發。.
為什麼 hBN 對石墨烯研究如此重要？
其原子級平滑且具電絕緣性的表面，使石墨烯元件得以顯著提升載流子遷移率與整體性能。.
hBN 能否用作基板材料？
是的。hBN 是用於石墨烯、二維材料及范德華異質結構的最常用基板材料之一。.
有哪些尺寸的水晶可供選擇？
標準晶體的橫向尺寸通常大於 1 毫米。如有需要，可應要求提供客製化晶體選項。.
這種材料適合用於學術及工業研究嗎？
是的。裝置級 hBN 單晶廣泛應用於全球各地的大學、研究機構、半導體實驗室以及尖端技術研發計畫中。.
商品評價
目前沒有評價。