Siliziumkarbid (SiC)-Wafer sind zu einem wichtigen Material für Hochleistungselektronik, Elektrofahrzeuge und moderne Halbleiterbauelemente geworden. Da die Nachfrage nach höherer Effizienz, kleineren
Siliziumkarbid (SiC) hat sich aufgrund seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, seiner hohen Temperaturbeständigkeit und seines hohen Wirkungsgrads zu einem der wichtigsten Materialien für Hochleistungselektronik, Elektrofahrzeuge und Halbleiterbauelemente der nächsten Generation entwickelt.
1. Introduction: From Wafer Diameter to Industrial Capability In semiconductor technology, wafer diameter has historically served as a reliable indicator of manufacturing maturity. Each major
