Silisyum karbür (SiC) gofretler, yüksek güçlü elektronikler, elektrikli araçlar ve gelişmiş yarı iletken cihazlar için kritik bir malzeme haline gelmiştir. Daha yüksek verimlilik, daha küçük
Silisyum karbür (SiC), olağanüstü termal iletkenliği, yüksek ısı iletkenliği ve yüksek sıcaklık iletkenliği nedeniyle yüksek güçlü elektronikler, elektrikli araçlar ve yeni nesil yarı iletken cihazlar için bir köşe taşı malzemesi olarak ortaya çıkmıştır.
1. Giriş: Yonga Plakası Çapından Endüstriyel Kabiliyete Yarı iletken teknolojisinde yonga plakası çapı tarihsel olarak üretim olgunluğunun güvenilir bir göstergesi olmuştur. Her büyük
