ผู้จัดจำหน่ายวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ชั้นนำระดับโลก

อีเมล: [email protected]

แท็ก: 300mm SiC wafer

วิธีเลือกแผ่นรองรับ SiC ที่เหมาะสมสำหรับอิเล็กทรอนิกส์กำลัง
ข่าว

การวิเคราะห์ต้นทุนแผ่นเวเฟอร์ SiC ขนาด 300 มม. เทียบกับ 200 มม.: ปริมาณการผลิตเท่าใดจึงจะคุ้มค่าในการเปลี่ยนไปใช้ขนาด 12 นิ้ว?

แผ่นซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ได้กลายเป็นวัสดุที่สำคัญสำหรับอิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง, ยานยนต์ไฟฟ้า, และอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง. เนื่องจากความต้องการสำหรับประสิทธิภาพที่สูงขึ้น, ขนาดที่เล็กกว่า

ข่าว

แผ่นเวเฟอร์ SiC ขนาด 300 มม. ความท้าทาย: อุปสรรคทางเทคนิคของการเติบโตผลึกในเส้นผ่านศูนย์กลางขนาดใหญ่ (EFG เทียบกับ PVT)

ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ได้กลายเป็นวัสดุหลักสำหรับอิเล็กทรอนิกส์กำลังสูง ยานยนต์ไฟฟ้า และอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์รุ่นถัดไป เนื่องจากมีคุณสมบัติการนำความร้อนที่ยอดเยี่ยม

12-inch-SiC-substrate-3
ข่าว

แผ่นซิลิคอนคาร์ไบด์ขนาด 300 มม.: วัสดุ อุปสรรคในการผลิต และเส้นทางสู่การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างพลังงานกว้างในระดับอุตสาหกรรม

1. บทนำ: จากเส้นผ่านศูนย์กลางของเวเฟอร์สู่ขีดความสามารถในอุตสาหกรรม ในเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ เส้นผ่านศูนย์กลางของเวเฟอร์ได้ทำหน้าที่เป็นตัวบ่งชี้ที่เชื่อถือได้เกี่ยวกับความก้าวหน้าในการผลิตมาโดยตลอด แต่ละขนาดหลัก