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Herausforderungen für 300-mm-SiC-Wafer: Die technischen Hürden der Kristallzüchtung bei größeren Durchmessern (EFG vs. PVT)
Siliziumkarbid (SiC) hat sich aufgrund seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, seiner hohen Temperaturbeständigkeit und seines hohen Wirkungsgrads zu einem der wichtigsten Materialien für Hochleistungselektronik, Elektrofahrzeuge und Halbleiterbauelemente der nächsten Generation entwickelt.