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Défis liés aux plaquettes de SiC de 300 mm : Les obstacles techniques à la croissance des cristaux dans des diamètres plus importants (EFG vs. PVT)
Le carbure de silicium (SiC) s'est imposé comme un matériau de base pour l'électronique de haute puissance, les véhicules électriques et les dispositifs semi-conducteurs de la prochaine génération en raison de sa conductivité thermique exceptionnelle, de sa haute résistance à l'usure et de sa résistance à l'oxydation.