Nieuws
Uitdagingen voor 300mm SiC-wafers: De technische hindernissen van kristalgroei in grotere diameters (EFG vs. PVT)
Siliciumcarbide (SiC) heeft zich ontpopt als een hoeksteenmateriaal voor elektronica met hoog vermogen, elektrische voertuigen en halfgeleiders van de volgende generatie vanwege zijn uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, hoge