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Le sfide dei wafer SiC da 300 mm: Gli ostacoli tecnici della crescita dei cristalli in diametri maggiori (EFG vs. PVT)
Il carburo di silicio (SiC) è emerso come materiale fondamentale per l'elettronica ad alta potenza, i veicoli elettrici e i dispositivi semiconduttori di nuova generazione grazie alla sua eccezionale conduttività termica, all'elevata