In der modernen Leistungselektronik hat sich Siliziumkarbid zu einem der wichtigsten Halbleitermaterialien mit breiter Bandlücke entwickelt. Im Vergleich zu herkömmlichem Silizium bietet SiC überlegene Eigenschaften wie
Der Anteil von Leistungsbauelementen aus Siliziumkarbid (SiC) am Weltmarkt für Leistungselektronik steigt rapide an. Durch die Überschreitung der physikalischen Leistungsgrenzen von konventionellem Silizium
Siliziumkarbid (SiC), insbesondere der 4H-SiC-Polytyp, spielt aufgrund seiner ausgezeichneten elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften eine wichtige Rolle in Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen.
