Maailman johtava puolijohdemateriaalin toimittaja
SÄHKÖPOSTI: [email protected]
Nykyaikaisessa tehoelektroniikassa piikarbidista on tullut yksi tärkeimmistä laajan kaistaleveyden puolijohdemateriaaleista. Perinteiseen piihin verrattuna SiC tarjoaa ylivoimaisia ominaisuuksia, kuten
Piikarbidin (SiC) teholaitteet kasvattavat nopeasti osuuttaan maailmanlaajuisilla tehoelektroniikkamarkkinoilla. Ylittämällä perinteisten pii- ja elektroniikkalaitteiden fysikaaliset suorituskykyrajat
Piikarbidilla (SiC), erityisesti 4H-SiC-polytyypillä, on perustavanlaatuinen rooli suuritehoisissa ja -taajuisissa puolijohdekomponenteissa sen erinomaisen sähköisen, termisen ja mekaanisen kestävyyden vuoksi.
