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炭化ケイ素ウェハーのカーボン面とシリコン面とは？
現代のパワーエレクトロニクスにおいて、炭化ケイ素は最も重要なワイドバンドギャップ半導体材料の一つとなっている。従来のシリコンに比べ、SiCは以下のような優れた特性を備えている。
現代のパワーエレクトロニクスにおいて、炭化ケイ素は最も重要なワイドバンドギャップ半導体材料の一つとなっている。従来のシリコンに比べ、SiCは以下のような優れた特性を備えている。
炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスは、世界のパワーエレクトロニクス市場で急速にシェアを拡大している。従来のシリコンの物理的性能限界を超えることで
炭化ケイ素（SiC）、特に4H-SiCポリタイプは、その優れた電気的、熱的、機械的特性により、高出力および高周波半導体デバイスにおいて基礎的な役割を果たしている。