In de moderne vermogenselektronica is Siliciumcarbide een van de belangrijkste halfgeleidermaterialen met een grote bandbreedte geworden. Vergeleken met traditioneel silicium biedt SiC superieure eigenschappen zoals
Apparaten met siliciumcarbide (SiC) breiden hun aandeel in de wereldwijde markt voor vermogenselektronica snel uit. Door de fysieke prestatiegrenzen van conventioneel silicium te overtreffen
Siliciumcarbide (SiC), met name het polytype 4H-SiC, speelt een fundamentele rol in halfgeleiderelementen met hoog vermogen en hoge frequentie vanwege de uitstekende elektrische, thermische en mechanische eigenschappen.
